Topic: [20141121]KnCMiner团队计划于2015年推出16纳米集成电路 (Read 1295 times)
国人的矿机研发也要加把劲了，可不能落伍了！
加密货币挖掘硬件制造商KnCMiner计划在2015年推出他们的下一款比特币集成电路。
这家瑞士公司宣布他们即将推出的太阳能集成电路是建立在新的16纳米的FinFET节点上，其效率将表现得更加优秀。
在一份声明中，公司称上述技术将依靠工程团队创造出的解决方案，并补充道：“16纳米技术代表了处理能力的巨大变化，因为我们使用的是公司开发的专有技术，速度达到一个数量级，远远高于现有
速度。”
KnCMiner揭开ASIC集成电路的面纱
今年早些时候，KnCMiner成为第一个制造出20纳米平面芯片的比特币集成电路制造商。几个月前，第一海王星芯片面世，新过程的过渡催生出性能的巨大提升，是对前一代28纳米芯片性能的显著改进。
20纳米海王星配备1440核，速率达到0.07W per GH/s。
新的太阳能平台被寄望提供一个比之前的20纳米产品速率快6倍的硬件。更具效率，就像公司所说的可以达到0.07W per GH/s。
KnC的太阳能平台配备超过5000核，使它成为比海王星更加复杂的集成电路。16纳米节点的密度高于20纳米的节点，这就允许设计师在每平方毫米内集成更多的晶体管。
新的制造过程同时带来了高计时和高效率，但是只能在某一时刻推算到精确的数字。KnCMiner没有披露其合作伙伴的名字，想要画出节点之间的比较关系将会困难重重。
比特币ASIC集成电路走向3D
KnCMiner的宣言代表着另外一个走向，那就是下一代比特币芯片行业的转变。FinFET允许设计者利用非平面晶体管设计，因此建立在此技术之上的芯片常被称之为3D晶体管。对于FinFET的制造流程，不
同的芯片制造商有不同的定义，但是这些新项目的目的是相同的，追求更高效的性能和表现。
英特尔是第一个在芯片上使用非平面3D晶体管的公司，但是这些晶体管常被称作是三极管而不是FinFET 设计的那种。技术的区别非常模糊—尽管英特尔没有使用FinFET的设计，它的14纳米和22纳米的
芯片，名为常春藤桥和哈斯维尔的两款设计，还是跟 FinFET的非常相似。
尽管英特尔近年来开始进军铸造业，公司并不向第三方租赁他们的流程。结果就是，芯片设计者们开始选择三星或者格罗方德或者台湾的一些芯片制造商。
TSMC的16纳米FinFET节点已经进入生产风险但是公司却形容它非常安全。公司现在的产能只有四分之一，预计2015年一季度开始批量生产。TSMC原本计划在第二季度开始批量生产。三星和格罗方德几年
早些时候联手FinFET推动这些项目。这两家公司称他们本应该在2014年就生产出14纳米的产品，但是试产扩量来得晚了一些导致量产推迟。
潜在的下滑趋势
少数人转向16纳米芯片的缺点，但事实上每一个潜在的节点，都是收益率。成熟的过程与量产的过程不冲突，这些问题往往需要一个复杂高端的GPU来解决。收益率问题意味着制造商得到了很多缺陷模，
推动健康磨具的单价下滑。
但是，这个问题往往是在面临大容量芯片出现，低收益率侵蚀了芯片制造商的收益率。比特币集成电路是一个低容量和短生命周期的电路，任何潜在的风险都可能抵消其优越的性能。同时，TSMC先前称
其16纳米的收益率是很好的。
芯片使用最新的制造工艺，这比建立在以往成熟技术节点上的花费要多一些，但是一旦价格溢价超出了其性能优越带来的价值，即使是在消费者手中的芯片，也终将被抛弃。
转自：http://55coin.com/2497.html
这家瑞士公司宣布他们即将推出的太阳能集成电路是建立在新的16纳米的FinFET节点上，其效率将表现得更加优秀。
在一份声明中，公司称上述技术将依靠工程团队创造出的解决方案，并补充道：“16纳米技术代表了处理能力的巨大变化，因为我们使用的是公司开发的专有技术，速度达到一个数量级，远远高于现有
速度。”
KnCMiner揭开ASIC集成电路的面纱
今年早些时候，KnCMiner成为第一个制造出20纳米平面芯片的比特币集成电路制造商。几个月前，第一海王星芯片面世，新过程的过渡催生出性能的巨大提升，是对前一代28纳米芯片性能的显著改进。
20纳米海王星配备1440核，速率达到0.07W per GH/s。
新的太阳能平台被寄望提供一个比之前的20纳米产品速率快6倍的硬件。更具效率，就像公司所说的可以达到0.07W per GH/s。
KnC的太阳能平台配备超过5000核，使它成为比海王星更加复杂的集成电路。16纳米节点的密度高于20纳米的节点，这就允许设计师在每平方毫米内集成更多的晶体管。
新的制造过程同时带来了高计时和高效率，但是只能在某一时刻推算到精确的数字。KnCMiner没有披露其合作伙伴的名字，想要画出节点之间的比较关系将会困难重重。
比特币ASIC集成电路走向3D
KnCMiner的宣言代表着另外一个走向，那就是下一代比特币芯片行业的转变。FinFET允许设计者利用非平面晶体管设计，因此建立在此技术之上的芯片常被称之为3D晶体管。对于FinFET的制造流程，不
同的芯片制造商有不同的定义，但是这些新项目的目的是相同的，追求更高效的性能和表现。
英特尔是第一个在芯片上使用非平面3D晶体管的公司，但是这些晶体管常被称作是三极管而不是FinFET 设计的那种。技术的区别非常模糊—尽管英特尔没有使用FinFET的设计，它的14纳米和22纳米的
芯片，名为常春藤桥和哈斯维尔的两款设计，还是跟 FinFET的非常相似。
尽管英特尔近年来开始进军铸造业，公司并不向第三方租赁他们的流程。结果就是，芯片设计者们开始选择三星或者格罗方德或者台湾的一些芯片制造商。
TSMC的16纳米FinFET节点已经进入生产风险但是公司却形容它非常安全。公司现在的产能只有四分之一，预计2015年一季度开始批量生产。TSMC原本计划在第二季度开始批量生产。三星和格罗方德几年
早些时候联手FinFET推动这些项目。这两家公司称他们本应该在2014年就生产出14纳米的产品，但是试产扩量来得晚了一些导致量产推迟。
潜在的下滑趋势
少数人转向16纳米芯片的缺点，但事实上每一个潜在的节点，都是收益率。成熟的过程与量产的过程不冲突，这些问题往往需要一个复杂高端的GPU来解决。收益率问题意味着制造商得到了很多缺陷模，
推动健康磨具的单价下滑。
但是，这个问题往往是在面临大容量芯片出现，低收益率侵蚀了芯片制造商的收益率。比特币集成电路是一个低容量和短生命周期的电路，任何潜在的风险都可能抵消其优越的性能。同时，TSMC先前称
其16纳米的收益率是很好的。
芯片使用最新的制造工艺，这比建立在以往成熟技术节点上的花费要多一些，但是一旦价格溢价超出了其性能优越带来的价值，即使是在消费者手中的芯片，也终将被抛弃。
转自：http://55coin.com/2497.html
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