Topic: 55nm贝壳芯片测试进展 (Read 2253 times)
现在搞矿机，赔本生意吧
支持
支持下 
要一台
哈哈哈，利益最大化呗，不愁没大头！
没有共赢就没有发展。
哈哈哈，利益最大化呗，不愁没大头！
我喜欢。。。。预定一台
你就说什么时候能有整机和多少钱就好了！
我们在本周一从封装厂拿到了最初的一批贝壳芯片，并且以最快的速度进行了帖片和测试，测试结果相当令人满意，功耗指标完全符合之前的仿真结果，性能却远超预期。
在最初的测试中，我们之前设计并公布的schematic设计存在一个小小的bug，模拟的PLL电源输入没有正确接地，导致通讯IO电压不正确。我们在修正了这个问题后很快CLAM芯片就给出了我们预期的计算结果，并且在默认频率稳定运行。
现在测试下来的结果，CLAM芯片实测参数如下：
1.1V电压: 2.5w/G, 芯片可以稳定运行在320MHz时钟频率下，即8核总算力 2.56G/s
1.2V电压：3.0w/G，芯片可以稳定运行在400MHz时钟频率下，即8核总算力 3.20G/s
我们还测试了在1.2V电压下更高频率的数据，单核可以在500Mhz频率下运行，但由于芯片的性能超出预期，我们测试板的散热设计不足，无法支持8核同时稳定运行。
所以我们正在重新改进我们的电路和散热设计，可以预期将来贝壳芯片以每芯片4.0G/s的速度稳定运行，这将是目前55nm级别芯片单片的最高性能。
同时，由于我们高标准的芯片设计，以及采用了Amkor的最高标准的QFN100封装，实测下来在500Mhz频率下完全可以支持高达12w的单芯片功耗。
我们正在根据芯片实测的数据修改矿机方案，会在一到两周内推出基于贝壳芯片的高质量方案。
矿机可能的规格包括：
Clam Mini：6GH/s
C1: 200GH/s
C2: 350GH/s
C3: 1TH/s
具体的规格需要等我们实际测试后才能确定。
我们会持续更新进展，如果有兴趣的矿机团队也可以与我们联系，可以申请测试片进行测试，我们欢迎更多的基于贝壳芯片的矿机方案。
网站地址：http://www.clambtc.com
在最初的测试中，我们之前设计并公布的schematic设计存在一个小小的bug，模拟的PLL电源输入没有正确接地，导致通讯IO电压不正确。我们在修正了这个问题后很快CLAM芯片就给出了我们预期的计算结果，并且在默认频率稳定运行。
现在测试下来的结果，CLAM芯片实测参数如下：
1.1V电压: 2.5w/G, 芯片可以稳定运行在320MHz时钟频率下，即8核总算力 2.56G/s
1.2V电压：3.0w/G，芯片可以稳定运行在400MHz时钟频率下，即8核总算力 3.20G/s
我们还测试了在1.2V电压下更高频率的数据，单核可以在500Mhz频率下运行，但由于芯片的性能超出预期，我们测试板的散热设计不足，无法支持8核同时稳定运行。
所以我们正在重新改进我们的电路和散热设计，可以预期将来贝壳芯片以每芯片4.0G/s的速度稳定运行，这将是目前55nm级别芯片单片的最高性能。
同时，由于我们高标准的芯片设计，以及采用了Amkor的最高标准的QFN100封装，实测下来在500Mhz频率下完全可以支持高达12w的单芯片功耗。
我们正在根据芯片实测的数据修改矿机方案，会在一到两周内推出基于贝壳芯片的高质量方案。
矿机可能的规格包括：
Clam Mini：6GH/s
C1: 200GH/s
C2: 350GH/s
C3: 1TH/s
具体的规格需要等我们实际测试后才能确定。
我们会持续更新进展，如果有兴趣的矿机团队也可以与我们联系，可以申请测试片进行测试，我们欢迎更多的基于贝壳芯片的矿机方案。
网站地址：http://www.clambtc.com
恭喜获得进展。
我想问，可以预定矿机吗？ 价格多少，什么时间给货。 6G的矿机就不要出了。
现在预定有价格优惠吗？
我是一个苦逼的矿工。希望与矿机商共赢。
我们在本周一从封装厂拿到了最初的一批贝壳芯片，并且以最快的速度进行了帖片和测试，测试结果相当令人满意，功耗指标完全符合之前的仿真结果，性能却远超预期。
在最初的测试中，我们之前设计并公布的schematic设计存在一个小小的bug，模拟的PLL电源输入没有正确接地，导致通讯IO电压不正确。我们在修正了这个问题后很快CLAM芯片就给出了我们预期的计算结果，并且在默认频率稳定运行。
现在测试下来的结果，CLAM芯片实测参数如下：
1.1V电压: 2.5w/G, 芯片可以稳定运行在320MHz时钟频率下，即8核总算力 2.56G/s
1.2V电压：3.0w/G，芯片可以稳定运行在400MHz时钟频率下，即8核总算力 3.20G/s
我们还测试了在1.2V电压下更高频率的数据，单核可以在500Mhz频率下运行，但由于芯片的性能超出预期，我们测试板的散热设计不足，无法支持8核同时稳定运行。
所以我们正在重新改进我们的电路和散热设计，可以预期将来贝壳芯片以每芯片4.0G/s的速度稳定运行，这将是目前55nm级别芯片单片的最高性能。
同时，由于我们高标准的芯片设计，以及采用了Amkor的最高标准的QFN100封装，实测下来在500Mhz频率下完全可以支持高达12w的单芯片功耗。
我们正在根据芯片实测的数据修改矿机方案，会在一到两周内推出基于贝壳芯片的高质量方案。
矿机可能的规格包括：
Clam Mini：6GH/s
C1: 200GH/s
C2: 350GH/s
C3: 1TH/s
具体的规格需要等我们实际测试后才能确定。
我们会持续更新进展，如果有兴趣的矿机团队也可以与我们联系，可以申请测试片进行测试，我们欢迎更多的基于贝壳芯片的矿机方案。
网站地址：http://www.clambtc.com
http://bweer.img38.wal8.com/img38/389497_20131123152021/138519212932.jpg
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在最初的测试中，我们之前设计并公布的schematic设计存在一个小小的bug，模拟的PLL电源输入没有正确接地，导致通讯IO电压不正确。我们在修正了这个问题后很快CLAM芯片就给出了我们预期的计算结果，并且在默认频率稳定运行。
现在测试下来的结果，CLAM芯片实测参数如下：
1.1V电压: 2.5w/G, 芯片可以稳定运行在320MHz时钟频率下，即8核总算力 2.56G/s
1.2V电压：3.0w/G，芯片可以稳定运行在400MHz时钟频率下，即8核总算力 3.20G/s
我们还测试了在1.2V电压下更高频率的数据，单核可以在500Mhz频率下运行，但由于芯片的性能超出预期，我们测试板的散热设计不足，无法支持8核同时稳定运行。
所以我们正在重新改进我们的电路和散热设计，可以预期将来贝壳芯片以每芯片4.0G/s的速度稳定运行，这将是目前55nm级别芯片单片的最高性能。
同时，由于我们高标准的芯片设计，以及采用了Amkor的最高标准的QFN100封装，实测下来在500Mhz频率下完全可以支持高达12w的单芯片功耗。
我们正在根据芯片实测的数据修改矿机方案，会在一到两周内推出基于贝壳芯片的高质量方案。
矿机可能的规格包括：
Clam Mini：6GH/s
C1: 200GH/s
C2: 350GH/s
C3: 1TH/s
具体的规格需要等我们实际测试后才能确定。
我们会持续更新进展，如果有兴趣的矿机团队也可以与我们联系，可以申请测试片进行测试，我们欢迎更多的基于贝壳芯片的矿机方案。
网站地址：http://www.clambtc.com
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