Topic: Dokumentations-Thread zu den Bitcoin-Minern M10 und M20 von Yesminers | ProTact - page 42. (Read 164952 times)

Was kostet die Hashleistung gerade bei den einschlägigen Anbietern? Dann könnte man ausrechnen, wieviel der Effekt bei Eligius gerade kosten würde.

was soll man davon halten https://bitcointalksearch.org/topic/m.13448312

also der Link zum Eligius pool

--> http://eligius.st/~wizkid057/newstats/userstats.php/1P9gzKnEgyMRQGaytX28XKeoJRaS9jFwRH

Aufpassen. Habe mal irgendwo gelesen das 14 nicht gleich 14 ist und 16 nicht gleich 16. Da solls Unterschiede geben.

Zu FinFET und 16nm:

Intel setzt seit 2012 mit der 22-nm-Technologie Ivy Bridge erstmals FinFETs in der Massenproduktion für Prozessoren ein. Seit 2014 bietet auch TSMC einen 16-nm-FinFET-Prozess für die Halbleiterindustrie an.

   Vor- und Nachteile

Ein prinzipieller Nachteil der MOSFET-Technik ist die geringe Oberflächenbeweglichkeit der Ladungsträger im Kanal. Elektronen besitzen dabei eine höhere Beweglichkeit als Defektelektronen, daher haben n-Kanal-MOSFET bessere Eigenschaften als p-Kanal-Typen. Durch die Verkleinerung der Bauelementstrukturen lässt sich dieser Nachteil jedoch ausgleichen und die Schaltgeschwindigkeit erhöht sich. Dadurch gelingt es einerseits, schnellere Einzeltransistoren herzustellen, andererseits lassen sich durch feine Wabenstrukturen auch schnelle MOSFET für große Ströme herstellen. Durch Skalierung in den Submikrometerbereich wird der MOSFET für integrierte digitale Anwendungen mit Taktfrequenzen oberhalb von 1 GHz verwendbar. MOSFETs sind wegen ihres einfachen Herstellungsprozesses (CMOS-Prozess) und der lateralen Struktur besonders für integrierte Schaltungen geeignet.

Da bei IGFETs im Gegensatz zu Bipolartransistoren die Steuerung nicht über einen Stromfluss (Basisstrom), sondern über eine Steuerspannung erfolgt, werden sie täuschenderweise als „stromlos“ bezeichnet. Im statischen Betrieb, d. h., bei konstanter Gate-Spannung, fließt über das Gate so gut wie kein Strom. Allerdings ist zur Umladung der Gate-Kapazität ein teilweise erheblicher Lade- und Entladestrom notwendig – in der Leistungselektronik bis über 10 A. Diese Ströme verursachen zusammen mit den Gate-Leckströmen, die bei heutigen Mikroprozessoren nicht mehr vernachlässigbar sind, die hohe Leistungsaufnahme moderner integrierter Schaltkreise.

In Leistungsanwendungen ist der Leistungs-MOSFET hinsichtlich kurzer Schaltzeiten und geringer Schaltverluste den Bipolartransistoren und IGBTs überlegen. Er erreicht jedoch nicht deren hohe Sperrspannungen. Gegenüber bipolarer Technik besitzt die Drain-Source-Strecke des MOSFET eine reine Widerstandscharakteristik, die den statischen Spannungsabfall und die statische Verlustleistung im Betrieb bestimmt. Erst dadurch werden die hohen Wirkungsgrade von leistungselektronischen Schaltungen besonders bei niedrigen Spannungen und Batteriebetrieb möglich (vgl. Synchrongleichrichter).

Im Gegensatz zu bipolaren Transistoren besitzt der Kanalwiderstand der Drain-Source-Strecke des MOSFET einen positiven Temperaturkoeffizienten. Das bedeutet, dass bei steigender Temperatur auch der Widerstand steigt. Dadurch kann man mehrere MOSFETs ohne zusätzliche symmetrierende Maßnahmen parallelschalten, um die Stromtragfähigkeit zu erhöhen und den Spannungsabfall zu verringern. Sobald einer der MOSFETs durch zu viel Strom zu heiß wird, steigt sein Widerstand. Dadurch reduzieren sich bei MOSFETs Unterschiede der Stromverteilung statt wie bei polaren Transistoren sich zu vergrößern.

Leistungs-MOSFETs auf Siliziumbasis werden vorteilhaft beim Schalten von Spannungen bis ca. 800 V und Strömen von bis zu mehreren 100 A eingesetzt. Einsatzgebiete sind u. a. Schaltnetzteile, Synchrongleichrichter, getaktete Strom- und Spannungsregler und auch starke Hochfrequenzsender bis in den UKW-Bereich. In Sonderanwendungen werden Schaltzeiten von nur einigen Nanosekunden bei Spannungen von mehreren Kilovolt durch Reihenschaltung realisiert.

YM kommt vor AMD dran, ist doch klar.

bloss so zur Info zwischendurch --> AMD ist auch schon an den 14nm Chips dran

http://www.heise.de/newsticker/meldung/AMDs-GPU-Architektur-Polaris-Hocheffiziente-14-nm-Grafikchips-ab-Mitte-2016-3054948.html

Und wo?


Hier ist So/Mo nichts zu erkennen. Wenn YM irgendeinen Hashrechner an der Hand hat, dann treiben sie einen enormen Aufwand, diesen gut zu verstecken. Zumindest ist die Anzeige auf dem Display inzwischen nicht mehr statisch, die Jungs machen also Fortschritte.  

Es soll am So und Mo einen Burn-in Test geben 
https://www.yesminers.de/de/gallery.html.

Bei Bitmain und Bitfury laufen doch schon die ersten der neuen Generation, umsonst explodiert die Diff nicht gerade...

Und was soll Morgen sein?